| ALOXTM라는 혁신적이고 독창적인 substrate를 개발해 왔습니다. |
| ALOXTM는 microelectronics. Packaging 같은 응용분야를 개발하기 위한 독특한 multilayer substrate입니다. |
| 본 기술은 몇 몇의 특허에 의하여 보호되고 있습니다. |
| ALOXTM에는 Via와 그 via를 통한 plating이 필요 없습니다. Via는 알루미늄과 고품질의 세라믹 특성의 유전물질로 채워져 있습니다.
단순한 제조공정과 낮은 제조비용 공정수가 적습니다. |
| ALOXTM technology는 넓은 영역의 technical platform을 가능하게 하고 RF, SIP, 3-D memory stack, MEMS, High power module과 component등과
같은 다양한 종류의 packaging적용을 가능하게 합니다. |
| 현재의 laminate/build-up substrate 나 ceramic substrate에 비교하여 ALOXTM substrate의 장점은 우수한 technical performance와 cost에 있습니다. |
 주요 기술의 장점 |
 복합적인 알루미늄 heat-sink의 내장으로 인한 우수한 thermal property |
| 낮은 저항을 갖는 알루미늄 via를 통한 high speed 실현 |
| Very high routing density 춎etal line/space : 1/1mil |
| RF 적용을 위한 특별사항 - strip lines,?wave guide structures, controlled impedance lines. |
| integrated passives option - resistors in the multilayer |
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| 가격경쟁력 |
| PCB type substrate에 비하여 상당히 낮은 수준의 제조비용 ? drilling, hole plating이 필요 없음. |
| 기본적으로 ALOX는 ceramic 기반의 substrate를 제공하며 PCB의 공정 수에 비하여 최소공정으로 제작됩니다. |
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| Total Thickness |
㎛ |
75-300 |
Typical 100-200. Very low profile! Less than 50% of convention profile! |
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| Internal aluminum layer Line/space |
㎛ |
100/100 |
Used for ground and power layers,
Very fine resolution for the application! |
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| Internal aluminum layer Thickness |
㎛ |
30-140 |
Option for very heavy ground and power layers. |
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Top % Bottom layers line/space
Top Copper layer thickness |
㎛ |
25/25
6-20-35 |
Current Minimum , Cutting edge resolution!
Typical s, Heavier copper traces can be fabricated |
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| Via width/pitch(min) |
㎛ |
140/250 |
For substrate thick of 125㎛. Current cutting edge resolution for Core
applications |
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Via Pad(=Land size) (min)(For
Substrate. Thickness of 125㎛.) |
㎛ |
40 |
Land size equal to pad is impossible to achieve in conventional
technology. Typically for conventional boards land size is three times
the pad size.
Dramatic advantage for ALOX in terms of routing density! |
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| Finish s(Typical) |
Nickel/Gold 5/0.2 ㎛&
Solder mask |
Typical |
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| Mechanical and Thermal s |
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| Young Modulus(E) |
Mpa |
130 |
Very high and clear advantage over plastics |
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| Poison Ratio(V) |
- |
0.29 |
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Thermal Coefficient of Expansion
(TCE) |
ppm/deg |
7.8 |
This is adjustable. is ranging from 8-12. Great advantage
over plastics in matching properties to the silicon die. |
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| Flexural Strength |
Mpa |
60,0000 |
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| Thermal Conductivity of the Dielectric |
Watt/mxdeg |
12-20 |
Property of the Dielectric. Significant advantage.
Integral Heat Sink option! |
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| Operating temperatures |
Degs. |
<300℃ |
Extendable to <350℃; |
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| Reliability |
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1000 thermal cycles test, 1000 vias
chain, 0.5㎜ pitch |
% chain
resistance
change . |
<3%
Pass |
-55℃ toi +125℃
JESDC 22-A104-B / PASS! |
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